Galjanoplastia del Ion del multi-arco

- Jan 13, 2018-

Galjanoplastia del ion del multi-arcoes la evaporación directa del metal en el destino de cátodo sólido por medio de descarga de arco. El evaporant es un Ion de un material del cátodo lanzado desde un punto de luz de arco de cátodo para que puede ser depósito de película delgada sobre la superficie del sustrato.


Desarrollo


Galjanoplastia del ion vacío fue propuesta por D. M. Mattox en 1963 y comenzó el experimento. En 1971, cámara et al publicó electrón viga la galjanoplastia del ion tecnología. En 1972, B informó la evaporación de la reacción (es) tecnología de la galjanoplastia y realizó películas superduro TIN y TIC. En el mismo año, MOLEY y SMITH aplican tecnología de cátodo hueco para la capa. En los años 80 del siglo XX, galjanoplastia del ion multi arco y galjanoplastia del ion vacío alto de descarga de arco aparecieron en China, y la galjanoplastia del ion alcanzó el nivel de aplicación industrial.


Principio de


Galjanoplastia del ion se realiza en una cámara de vacío por descarga de gas o ionización parcial de deposición evaporant, evaporación o reactivo en el substrato, al efecto de los iones del gas o deposición de partículas, la evaporación o el reactivo de evaporant de bombardeo en la substrato. Galjanoplastia del ion combina descarga del resplandor, la tecnología de plasma y la evaporación al vacío, que pueden no sólo mejorar la calidad de la película, obviamente, pero también ampliar el ámbito de aplicación de la película. Las ventajas de la película son adherencia fuerte, buena difracción y material de la membrana extensa. D.M. propuso por primera vez el principio de la galjanoplastia del ion, que el proceso de trabajo es:


● La cámara de vacío se bombea para el grado de vacío por encima de 4 x 10 (-3) Pa, conectado a la fuente de alimentación de alta tensión y establecer una región de plasma de baja temperatura de descarga de baja presión de gas entre la fuente de evaporación y el sustrato.

● El electrodo de substrato conectado a 5KV DC negativo alto voltaje para formar un cátodo descarga del resplandor.

● Los iones de gas inerte en la zona de descarga del resplandor son acelerados por el campo eléctrico en la zona oscura del cátodo y la superficie del sustrato es bombardeada y limpiarse.

● En el proceso de recubrimiento, la calefacción hace que el material vaporizado, los átomos entra en la zona del plasma, que choca con el gas inerte iones y electrones y una parte de la ionización se produce.

● Los iones ionizados y los iones de gas bombardean la superficie de la capa con una energía más alta, que mejoraron la calidad de la película.


Galjanoplastia del ion del multi-arco es diferente de la galjanoplastia del ion general, que es utilizando la descarga de arco a deposición de la descarga en lugar del tradicional galjanoplastia resplandor del ion. En Resumen, el principio de la galjanoplastia del ion del multi-arco es usar el objetivo de cátodo como la fuente de evaporación para evaporar el material objetivo por descarga de arco entre el blanco y el ánodo, para que el plasma se forma en el espacio y la deposición sobre sustratos.


Ventaja


● El plasma se genera directamente en el cátodo sin un charco. El objetivo del cátodo se puede organizar en cualquier dirección según la forma de la pieza, para que la instalación se simplifica muchísimo.

● La energía de la partícula incidente y la densidad de la película son altos, la fuerza y la durabilidad son buenas y la fuerza de adhesión excelente.

● Alta tasa de ionización, generalmente hasta el 60% a 80%.

● Desde el punto de vista de aplicación, la tasa de deposición es rápida.


Desventaja


● En alta potencia, es necesario producir un punto de ebullición, que afecta a la calidad de la capa.