Varias fuentes del Ion común utilizado en la capa de vacío

- Jun 13, 2018-


Aunque hay muchos tipos de fuente de ion, el propósito es nada más de on-line de limpieza, mejora de la distribución de la energía de la superficie recubierta y aumento de la energía del gas reactivo. La fuente de iones puede mejorar considerablemente la fuerza de adhesión entre el recubrimiento y el sustrato, al mismo tiempo la dureza, resistencia al desgaste y resistencia a la corrosión de la capa sí mismo también mejorará. Para el recubrimiento resistente al desgaste de herramientas, como el espesor general es grande y la uniformidad del espesor de la película no es alta, pueden utilizarse las fuentes de iones con mayores niveles corriente de iones, como fuente de ion Hall o fuente de ion ánodo capa.

 

El principio de la fuente de iones de capa del ánodo es similar a la de la fuente de iones de Hall. Un fuerte campo magnético se aplica en una ranura anular (rectangular o circular) y se ioniza el gas de trabajo bajo la acción del ánodo y los iones se dirigen a la pieza de trabajo. La fuente de iones del ánodo capa se puede hacer en un tamaño muy grande y largo para especialmente indicado para piezas de trabajo grandes como el vidrio arquitectónico. La corriente de iones de la misma es más divergente y la distribución del nivel de energía es demasiado grande, así que es generalmente conveniente para piezas de trabajo grandes, vidrio, ropa, objetos decorativos y así sucesivamente. Sin embargo, no se utiliza demasiado para avanzados recubrimientos ópticos.

 

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La fuente de iones Kaufmanes una especie de fuente de iones que aplicado anterior. Pertenece a la fuente de iones de la red. El plasma se genera primero por el cátodo en la cámara de la fuente de iones y los iones son extraídos de la cámara plasma por dos o tres rejillas de ánodo. El ion producido por este ion fuente tiene fuerte direccionalidad y el ancho de banda de energía se concentra, por lo que puede ser ampliamente utilizado en la capa de vacío. La desventaja de la fuente de iones de Kaufman es que el cátodo (generalmente un filamento de tungsteno) quema rápidamente en el gas de reacción. Además, hay un límite para el flujo de iones, que puede ser inadecuado para los usuarios que requieren iones grandes flujos.

 

El principio de la fuente de iones de pasillo, un ánodo hace que el gas de proceso que plasmas en cooperación con un fuerte campo magnético axial. Este desequilibrio fuerte del campo magnético axial separa los iones de gas y las formas de haces iónicos. Debido al fuerte efecto del campo magnético axial, la viga de ion de la fuente de ion Hall necesita suplir electrones para neutralizar el ión actual. Una fuente común de neutralización es tungsteno (cátodo). Fuentes de iones del Hall se caracterizan por:

 

1. operación simple y durable.

2. la corriente es casi proporcional al caudal de gas, y puede obtenerse un ión más grande actual.

3. el alambre de tungsteno generalmente cruza la salida, y se será erosionado lejos por el impacto de la viga de ion. Así que generalmente necesita ser substituido en más de diez horas sobre todo para el gas de reacción. Además, tungsteno también tiene algunos problemas de contaminación. Para resolver las deficiencias de alambre de tungsteno, se pueden utilizar neutralizantes con vida más larga, como una fuente de cátodo hueco pequeño.

 

Fuente de ion Hall puede decirse que la fuente de iones más ampliamente utilizado.


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Cuando la película decorativa resistente al desgaste que tiene gran espesor de la capa es grande fuerte resistencia a la flexión mientras que la uniformidad no debe ser alta, la fuente de iones de Hall está disponible como su ion actual es grande y su nivel de energía es alto. Cuando una película óptica de la capa, el nivel actual de ion es principalmente necesario concentrarse, y la uniformidad de la corriente de iones debe ser buena. Por lo tanto, Kaufman en la fuente o fuentes de iones del RF se utilizan preferentemente, y la mejor opción son REC (ciclotrón del electrón) o ICP (acoplado inductivamente) fuentes de iones.


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