Flujo de proceso principal de Magnetron Sputtering

- Aug 21, 2020-

Flujo de proceso principal de pulverización de magnetron:
(l) Limpieza de sustratos, principalmente utilizando limpieza al vapor de alcohol isopropílico, seguido de remojar el sustrato con etanol y acetona y secarlo rápidamente para eliminar las manchas de aceite superficial;
(2) Bombeo por vacío, el vacío debe controlarse a más de 2 x 104Pa para garantizar la pureza de la película;
(3) Calefacción. Con el fin de eliminar la humedad superficial del sustrato y mejorar la fuerza de unión entre la película y el sustrato, el sustrato debe calentarse a una temperatura entre 150oC y 200oC.
(4) Presión parcial del argón, generalmente dentro del rango de 0.01 -1Pa, para cumplir con la condición de presión de la descarga de resplandor;
(5) Presputtering, que consiste en eliminar la película de óxido en la superficie objetivo por bombardeo iónico, a fin de no afectar a la calidad de la película;
(6) Sputtering: Bajo la acción del campo magnético ortogonal y el campo eléctrico, los iones positivos formados por el argón ionizado bombast el material objetivo a alta velocidad, de modo que las partículas objetivo emitidas por el sputtering llegan a la superficie del sustrato y se depositan en la película;
(7) En el recocido, el coeficiente de expansión térmica de la película delgada y el sustrato es diferente, y la fuerza de unión es pequeña. En el recocido, la difusión mutua de átomos entre la película delgada y el sustrato puede mejorar eficazmente la adhesión.

微信图片_20200810145755higo. Gráfico de flujo del proceso de recubrimiento de pulverización de Magnetron

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